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- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TNM1K30KX
N沟道，30V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动，适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联。应用：接口。 开关
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- TNM1K30KX
- 商品编号
- C7434076
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0398克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 42pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12.2pF |
商品概述
DN8809D是具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。该产品符合RoHS标准，且通过全功能可靠性认证，满足产品要求。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低电压驱动,使该器件非常适合便携式设备
- 驱动电路易于设计
- 易于并联
应用领域
- 接口连接
- 开关应用
- TNM3020JX
- MAX25302BATD/V+T
- HP06W2F270LT5E
- HP06W2F2201T5E
- 4D03WGJ0622T5E
- HP05W3F300LT5E
- 4D03WGF4991T5E
- HP05W3F240LT5E
- HP06W2F6201T5E
- HP05W3F360LT5E
- 1954
- RF-TI1352B1
- RF-BM-2652P4I
- SP0504BAHTG-MS
- SN74LVC1G00DBVR-MS
- SN74LVC1G00DCKR-MS
- SN74LVC1G3157DBVR-MS
- SN74LVC1G3157DCKR-MS
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- SN74LVC1G04DCKR-MS
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