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RS100N85G
1个N沟道 耐压:100V 电流:85A
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- 描述
- 低压MOS-SGT，同步整流，逆变器，电机控制，金牌电源，服务器电源，工业电源，无人机，PD快充，无线充，LED驱动电源，储能BMS
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS100N85G
- 商品编号
- C7432850
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.538729克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 76W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.362nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
3400A是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3400A符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面功能可靠性认证。
商品特性
- 快速开关速度
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理
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