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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HYF4GQ4UTACAE

SPI NAND 4Gb

描述
该器件是一种基于标准并行NAND Flash的SLC NAND Flash存储器,支持标准双线和四线SPI接口。每个块包含64个可编程页,每页由2048字节的数据存储区和128字节的备用区组成。提供4Gb的存储容量,适用于嵌入式系统的高密度非易失性存储解决方案。
商品型号
HYF4GQ4UTACAE
商品编号
C7426876
商品封装
LGA8​
包装方式
托盘
商品毛重
2.8605克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量4Gbit
接口类型SPI
时钟频率(fc)104MHz
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(Tw)-
页写入时间(Tpp)350us
属性参数值
块擦除时间(tBE)4ms
数据保留 - TDR(年)10年
工作温度-40℃~+85℃
待机电流20uA
擦写寿命10万次
ECC

商品概述

SPI(串行外设接口)NAND闪存为嵌入式系统的高密度非易失性存储解决方案提供了一种低成本、低引脚数的替代SPI-NOR的方案。

SPI NAND闪存是基于标准并行NAND闪存的SLC NAND闪存设备。串行电气接口遵循行业标准的串行外设接口。命令集与SPI-NOR命令集类似,但进行了一些修改以处理NAND特定功能,并添加了新功能以扩展应用。SPI NAND闪存设备共有8个引脚,包括6条信号线以及VCC和GND。

串行NAND闪存设备的每个块细分为64个可编程页面。每个页面由数据存储区域和备用区域组成。数据存储区域用于存储用户编程的数据,备用区域通常用于内存管理和纠错功能。

商品特性

  • 标准双路和四路SPI
  • 标准SPI:SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
  • 双路SPI:SCLK、CS#、SIO0、SIO1、WP#、HOLD#
  • 四路SPI:SCLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3
  • 闪存特性
  • 块大小:(页面大小)×(64页/块)
  • 页面大小:2048 + 128字节
  • SPI容量:4Gb(4096块)
  • 性能
  • 读取页面时间(tR):45μs(典型值)
  • 编程时间:350μs(典型值)
  • 块擦除时间:4.0ms(典型值)
  • SPI电源电压
  • 3.3V的全电压范围:2.7 ~ 3.6V
  • 应用输入/输出电压:-0.6 ~ 4.6V
  • 可靠性
  • 片上ECC纠错程序,支持ECC 6位/512B的ECC纠错能力
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 0 - 9块在发货时状态良好
  • 100,000次编程/擦除循环(典型值)
  • 10年数据保留(典型值)
  • 安全特性
  • 一次性可编程(OTP)区域
  • 序列号(唯一ID)(联系工厂获取支持)
  • 电源转换期间硬件编程/擦除禁用
  • 易失性和永久性块保护
  • SPI最大时钟频率
  • 3.3V时为104MHz

数据手册PDF