SLM7888MD
160V三相桥式驱动器
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- 描述
- 160V三相全桥,互锁,Vo:10-20V,HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑,所有通道高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:130/150ns,DT:270ns,MT:40ns,MDT:25ns
- 品牌名称
- Sillumin(数明半导体)
- 商品型号
- SLM7888MD
- 商品编号
- C785010
- 商品封装
- TSSOP-20
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 三相 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 灌电流(IOL) | 650mA | |
| 拉电流(IOH) | 350mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 50ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 30ns | |
| 传播延迟 tpLH | 100ns | |
| 传播延迟 tpHL | 110ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 500uA |
商品概述
SLM7888是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有三个独立的高端和低端参考输出通道,适用于三相应用。 专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低支持3.3V逻辑。 欠压锁定(UVLO)电路可防止当VDD和VBS低于指定阈值电压时出现故障。 传播延迟经过匹配,便于在高频应用中使用。 浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,最高工作电压可达160V。
商品特性
- 浮动通道专为自举操作而设计
- 最高可在+160V下完全正常工作
- 耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为10V至20V
- 所有通道均具备欠压锁定功能
- 与3.3V、5V和15V逻辑兼容
- 较低的di/dt栅极驱动,具备更好的抗噪性能
- 具备典型270ns死区时间的交叉导通预防逻辑
- 提供SOP20W和TSSOP20封装
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