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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF1404ZSPBF

耐压:40V 电流:180A

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描述
这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术,以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为一款极为高效可靠的器件,适用于各种应用场景
商品型号
IRF1404ZSPBF
商品编号
C7420103
商品封装
D2PAK​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on))2.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)150nC
输入电容(Ciss)4.34nF
反向传输电容(Crss)550pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 通过 AEC-Q101 认证
  • 小型薄封装
  • 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 5.4 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
  • 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)
  • 增强型:Vth = 1.5 至 2.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.3 mA)

应用领域

  • 汽车领域-开关稳压器-DC-DC 转换器-电机驱动器

数据手册PDF