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SI4922BDY-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4922BDY-T1-GE3
- 商品编号
- C784369
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.258克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.07nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
- N沟道MOSFET
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