温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SE1991G
N沟道 100V 120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该系列是高压功率MOSFET，旨在具备更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE1991G
- 商品编号
- C7419529
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.91175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 223W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.36nF |
其他推荐
- CW-Writer
- STC32G8K64-42I-LQFP32
- STC32G8K64-42I-LQFP48
- STC8G1K17A-36I-DIP8
- STC8H1K28-36I-TSSOP20
- STC8G1K08-38I-DIP20
- ABPMANN030PG2A3
- HIH6030-021-001
- FS43X106K500EFG
- RVE1V102M1616
- RVE1C222M1616
- RVT1A331M0607
- KP105J2G2001A
- FCC0201X104K100ZT
- FCC0402B224K160AT
- FCC0402B333K500AT
- FCC0603B104M500CT
- FCC0603B105K160CT
- FCC0603B334K500CT
- FCC0603N1R0D500CT
- FCC0603N220J500CT