XPN6R706NC,L1XHQ
1个N沟道 耐压:60V 电流:40A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- XPN6R706NC,L1XHQ
- 商品编号
- C7417385
- 商品封装
- TSON-8(3.1x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07956克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W；840mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF |
商品概述
这款MOSFET经过精心设计，在尽量降低导通电阻的同时，还能保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 小型薄封装
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 5.4 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)
- 增强型:Vth = 1.5 至 2.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.3 mA)
应用领域
-汽车领域-开关稳压器-DC-DC 转换器-电机驱动器
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