XC7K325T-L2FBG900E

赛灵思 7 系列 FPGA 包含四个针对完整系统需求而设计的 FPGA 系列，覆盖范围从低成本、小外形尺寸、对成本敏感的大批量应用，到要求最苛刻的高性能应用所需的超高连接带宽、逻辑容量和信号处理能力。该系列基于先进的 28 纳米高 k 金属栅极高性能低功耗工艺技术构建，可实现无与伦比的系统性能提升，提供 2.9 Tb/s 的 I/O 带宽、200 万逻辑单元容量和 5.3 TMAC/s 的 DSP 性能，同时功耗比上一代器件降低 50%，为 ASSP 和 ASIC 提供了完全可编程的替代方案。

• 基于真正的 6 输入查找表技术的高级高性能 FPGA 逻辑，可配置为分布式存储器。
• 36 Kb 双端口块 RAM，内置 FIFO 逻辑，用于片上数据缓冲。
• 高性能 SelectIO 技术，支持高达 1,866 Mb/s 的 DDR3 接口。
• 内置多千兆位收发器的高速串行连接，速率范围从 600 Mb/s 至最高 6.6 Gb/s 乃至 28.05 Gb/s，提供专为芯片间接口优化的特殊低功耗模式。
• 用户可配置的模拟接口，包含双通道 12 位 1 MSPS 模数转换器以及片上温度和电源传感器。
• DSP 片，包含 25 × 18 乘法器、48 位累加器和前置加法器，适用于高性能滤波，包括优化的对称系数滤波。
• 强大的时钟管理模块，结合锁相环和混合模式时钟管理器模块，实现高精度和低抖动。
• 集成 PCI Express 模块，支持高达 ×8 Gen3 的端点设计和根端口设计。
• 多种配置选项，包括对商用存储器的支持、带 HMAC/SHA-256 认证的 256 位 AES 加密，以及内置的单粒子翻转检测与校正。
• 提供低成本引线键合、无盖倒装芯片和高信号完整性倒装芯片封装，便于在同一封装内实现系列成员间的轻松迁移。所有封装均提供无铅选项，部分封装提供含铅选项。
• 采用 28 纳米高 k 金属栅极高性能低功耗工艺、1.0V 核心电压工艺技术以及 0.9V 核心电压选项设计，旨在实现高性能和最低功耗。