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UCC28C59QDRQ1

适用于硅和碳化硅MOSFET的汽车用低功耗电流模式高性能PWM控制器

描述: UCC28C5x-Q1系列器件是高性能电流模式PWM控制器，可用于在各种应用中驱动Si和SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1系列是UCC28C4xQ1的更高效、更稳健版本。UCC28C5x-Q1系列具有新的欠压锁定（UVLO）阈值，可实现可靠的SiC MOSFET操作（UCC28C56 - 59 - Q1），此外还保留了现有的UVLO阈值以继续支持Si MOSFET（UCC28C50 - 55 - Q1）。VDD绝对最大电压额定值从20V扩展到30V，以优化驱动20 - Vgs、18 - Vgs或15 - Vgs的SiC MOSFET栅极，同时还可省去外部低压差线性稳压器（LDO）。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC28C59QDRQ1
商品编号: C7406972
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1克(g)

商品参数

商品概述

UCC28C5x-Q1系列器件是高性能电流模式PWM控制器，可用于在各种应用中驱动Si和SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1系列是UCC28C4xQ1的更高效、更稳健版本。 UCC28C5x-Q1系列具有新的欠压锁定（UVLO）阈值，可实现可靠的SiC MOSFET操作（UCC28C56 - 59 - Q1），此外还保留了现有的UVLO阈值以继续支持Si MOSFET（UCC28C50 - 55 - Q1）。 VDD绝对最大电压额定值从20V扩展到30V，以优化驱动20 - Vgs、18 - Vgs或15 - Vgs的SiC MOSFET栅极，同时还可省去外部低压差线性稳压器（LDO）。

商品特性

提供欠压锁定选项，支持Si和SiC MOSFET应用
VDD绝对最大电压为30V
最大固定频率工作为1MHz
启动电流为50μA，最大75μA
低工作电流：在f_OSC = 52kHz时为1.3mA
高工作结温（T_J）：最高150℃
快速的35ns逐周期过流限制
±1A峰值驱动电流
轨到轨输出：
- 上升时间25ns，下降时间20ns
±1%精度的2.5V误差放大器基准电压
引脚与UCC28C4x - Q1兼容，可直接替换
具备功能安全能力
- 提供相关文档以辅助功能安全系统设计
通过AEC - Q100认证，结果如下
- 器件温度等级1：- 40℃至125℃
- 器件人体模型（HBM）分类等级2：±2kV
- 器件带电器件模型（CDM）分类等级C4B：750V

应用领域

牵引逆变器高压转低压备用电源
车载充电机（OBC）和DC/DC转换器隔离偏置电源
暖通空调（HVAC）压缩机高压隔离电源
交直流电动汽车充电设备中的单端DC转换器

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(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)

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	属性	参数值
	商品目录	AC-DC控制器和稳压器
	是否隔离	隔离
	工作电压	16V~28V
	开关频率	26.5kHz
	最大占空比	48%

	属性	参数值
	拓扑结构	反激式
	特性	欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	反馈方式	副边反馈