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CTP06N005
CTP06N005
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- 商品型号
- CTP06N005
- 商品编号
- C783170
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.646nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 396pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 443pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 极低导通电阻R_DS(ON)
- 低栅极电荷
- 出色的栅极电荷×R_DS(ON)乘积
商品特性
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低 RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 针对快速开关应用进行优化
应用领域
-DC/DC转换器-同步整流
- FS32K118LAT0MLFT
- MPX5010DP
- S9KEAZN8AMTGR
- MKE04Z128VLD4
- QN9021BN
- QN9080DHNE
- GCM1887U2A472JA16D
- GRM022R71A101KA01L
- GRM188B11H221KA01D
- GRM1882C1H470JA01D
- LQG15HH33NJ02D
- GRM1882C1H222FA01D
- BLM15HD102SZ1D
- CSTNE16M0V53Z000R0
- DFE201610E-R24M=P2
- GRM155C81E105ME11D
- GRM1887U1H103JA01D
- LQG18HH18NJ00D
- YM02-AM02
- YTL-YD07-CM03
- AFT14A902A