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CTQ06N085
CTQ06N085
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- 商品型号
- CTQ06N085
- 商品编号
- C783154
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
LonFET™功率MOSFET采用先进的超结技术制造。由此生产的器件具有极低的导通电阻，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 针对快速开关应用进行优化
应用领域
- 高频DC-DC转换器
- 功率开关应用
- FS32K118LAT0MLFT
- MPX5010DP
- S9KEAZN8AMTGR
- MKE04Z128VLD4
- QN9021BN
- QN9080DHNE
- GCM1887U2A472JA16D
- GRM022R71A101KA01L
- GRM188B11H221KA01D
- GRM1882C1H470JA01D
- LQG15HH33NJ02D
- GRM1882C1H222FA01D
- BLM15HD102SZ1D
- CSTNE16M0V53Z000R0
- DFE201610E-R24M=P2
- GRM155C81E105ME11D
- GRM1885C2A201JA01D
- GRM1887U1H103JA01D
- LQG18HH18NJ00D
- YM02-AM02
- YTL-YD07-CM03