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3236(4)ESA

三相半桥驱动芯片

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描述: 3236(4)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有3个独立高压通道和3个独立低压通道，高低通道搭配用于3相驱动。采用HVIC工艺可将600V高压器件和低压模块集成在一个芯片中。逻辑信号输入端兼容CMOS或LSTTL输出信号，最低适合3.3V逻辑信号。
品牌名称: VP(中芯集成)
商品型号: 3236(4)ESA
商品编号: C782184
商品封装: SOIC-28-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 1.01克(g)

商品参数

商品概述

3236(4)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有3个独立高压通道和3个独立低压通道，高低通道搭配用于3相驱动。采用HVIC工艺可将600V高压器件和低压模块集成在一个芯片中。逻辑信号输入端兼容CMOS或LSTTL输出信号，最低适合3.3V逻辑信号。芯片在过流保护或欠压保护时进入错误模式，!FAULT引脚输出低电平。高压侧和低压侧驱动都有欠压锁定功能，可独立监控VCC和VBS的电源电压。过流保护模块同时监控6个通道电流，ITRIP引脚外接电流监控电阻，通过采集电阻上的信号判定过流状态，关断所有6个通道。欠压和过流状态消失后，一段延时后芯片自动退出错误模式，延时时间可调，由RCIN端口外接的RC网络决定。驱动级能力为输出200mA和流入350mA。各个通道传输延时匹配，使高频应用变得简单。悬浮高压通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或者IGBT，电压可达600V。

商品特性

悬浮高压通道可以实现自举模式，最高电压达到600V
可以承受瞬时负电压
栅极驱动的电源电压范围10V~20V
对所有通道具有欠压锁定功能
过流保护关断所有6个通道
集成3个独立的半桥驱动级
所有通道的传输延时匹配
贯通预防逻辑
低压侧输出信号与输入信号反相（3236），或者输出与输入同相位（32364）
高压侧输出信号与输入信号反相（3236），或者输出与输入同相位（32364）
输入兼容3.3V和5V逻辑信号
低di/dt栅极驱动使具有更好的抗噪声能力
外部RC网络实现可调延时
错误状态自动消除功能
所有材料都无铅

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	全桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	6
	灌电流(IOL)	350mA
	拉电流(IOH)	200mA

	属性	参数值
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	125ns
	下降时间(tf)	50ns
	特性	欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)
	工作温度	-25℃~+125℃
	静态电流(Iq)	1.6mA