STU80N4F6
1个N沟道 耐压:40V 电流:80A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STU80N4F6
- 商品编号
- C7373306
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是一款采用第六代STripFETTM DeepGATETM技术开发的N沟道功率MOSFET,具备全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻(RDS(on))。
商品特性
-低栅极电荷-极低的导通电阻-高雪崩耐量
应用领域
-开关应用
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