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STD3NK50Z-1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STD3NK50Z-1

1个N沟道 耐压:500V 电流:2.3A

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商品型号
STD3NK50Z-1
商品编号
C7373179
商品封装
IPAK​
包装方式
管装
商品毛重
0.677克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)2.3A
导通电阻(RDS(on))3.3Ω@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)280pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 典型 RDS(on) = 2.8 Ω
  • 极高的 dv/dt 能力
  • 增强的静电放电(ESD)能力
  • 100% 雪崩测试
  • 全新的高压标杆
  • 最小化栅极电荷

应用领域

  • 交流适配器和电池充电器
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 照明

数据手册PDF