UPD48288118AF1-E24-DW1-A

µPD48288118AF1是一款容量为16,777,216字、位宽为18位的同步双倍数据速率低延迟RAM，采用先进的CMOS技术和单晶体管存储单元制造。 µPD48288118AF1集成了独特的同步外围电路和突发计数器。所有由输入时钟对（CK和CK#）控制的输入寄存器在CK和CK#的上升沿锁存。这些产品适用于需要同步操作、高速、低电压、高密度和宽位配置的应用。

• SRAM型接口
• 双倍数据速率架构
• PLL电路
• 周期时间：tRC = 15 ns时为1.875 ns
• tRc = 15 ns时为2.5 ns
• tRC = 20 ns时为2.5 ns
• tRC = 20 ns时为3.3 ns
• 非复用地址
• 提供复用选项
• 写命令的数据掩码
• 差分输入时钟（CK和CK#）
• 差分输入数据时钟（DK和DK#）
• 数据有效信号（QVLD）
• 可编程突发长度：2 / 4 / 8（x18）
• 用户可编程阻抗输出（25 Ω - 60 Ω）
• JTAG边界扫描