TT8U1TR
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.4A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- TT8U1TR
- 商品编号
- C7366918
- 商品封装
- TSST-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - |
商品特性
- 累积间距公差：生产载带的模具每10个间距的累积间距公差应在±0.2mm以内
- 最小弯曲半径：载带应具有足够的柔韧性，在最小半径为30mm时，能保护组件不受损坏
- 载带材料：聚苯乙烯两侧涂有特殊碳漆
- 剥离强度：0.1N～1.0N（如果产品存储超过建议的存储条件）
- 推荐存储条件：温度5°C - 40°C，湿度30%RH - 80%RH
- 推荐存储时间：生产后五年
应用领域
- 一般电子设备（如AV/OA设备、通信、消费系统、游戏/娱乐设备）
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