TSM60NB099CZ C0G
1个N沟道 耐压:600V 电流:38A
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- 商品型号
- TSM60NB099CZ C0G
- 商品编号
- C7365503
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 298W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.587nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 超结技术
- 高性能,低导通电阻RDS(ON)与栅极电荷Qg乘积(品质因数FOM)
- 高耐用性
- 100%进行非钳位感性负载开关(UIS)和栅极电阻Rg测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU,遵循报废电子电气设备指令WEEE 2002/96/EC
- 根据国际电工委员会标准IEC 61249-2-21实现无卤
应用领域
- 功率因数校正(PFC)级
- 服务器/电信电源
- 充电站
- 逆变器
- 电源