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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻。(2.5V时为80mΩ)
- 高功率封装。
- 高速开关。
- 低电压驱动。(2.5V)
应用领域
-DC-DC转换器