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LSD60R099HT

LSD60R099HT

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商品型号
LSD60R099HT
商品编号
C779933
商品封装
TO-220MF​
包装方式
管装
商品毛重
2.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))88mΩ@10V
耗散功率(Pd)34.8W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)48nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.871nF
反向传输电容(Crss)2.5pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)106pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品概述

LonFETTM功率MOSFET采用先进的超结技术制造。由此产生的器件具有极低的导通电阻,使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。

商品特性

  • 超低导通电阻RDS(on)
  • 超低栅极电荷(典型值Qg = 48nC)
  • 100%进行了非钳位感应开关(UIS)测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

-功率因数校正(PFC)-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)

数据手册PDF