RGT8NS65DGC9
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 8A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.1V@15V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 69ns | |
| 反向恢复时间(Trr) | 40ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
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