商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28.6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 410pF |
商品特性
- 低导通电阻。
- 高功率小尺寸封装（HUML2020L8）。
- 无铅镀铅；符合RoHS标准。
- 无卤。
- 100%进行Rg和UIS测试。
应用领域
- 开关
- RF4E080GNTR
- RGC1/16C1183DTP
- RGC1/16C1213BTP
- RF55-23F-T-00-50-G-A-SH
- RGC1/16C1241DTP
- RF55-24C-T-09-50-A-SH
- RGC1/16C1242BTP
- RF55-25C-T-00-50-G-SH
- RGC1/16C1242DTP
- RF55-27K-T-02-50-A-SH
- RGC1/16C1243BTP
- RF55-28L-T-00-50-G-SH
- RGC1/16C1301FTP
- RF55-29E-T-00-50-G-SH
- RGC1/16C1332DTP
- RF55-32D-T-00-50-A-SH
- RGC1/16C1333FTP
- RF55-32L-T-00-50-A-SH
- RGC1/16C1472BTP
- RF55-34E-T-02-50-SH
- RGC1/16C1473DTP