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Numonyx StrataFlash Embedded Memory (P30) 是最新一代的Numonyx StrataFlash内存设备。提供64-Mbit至512-Mbit的密度，P30设备将可靠的每单元两位存储技术引入嵌入式闪存市场细分领域。优点包括在更小空间内实现更高密度、高速接口、每位成本最低的NOR设备，以及支持代码和数据存储。特点包括高性能同步突发读取模式、快速异步访问时间、低功耗、灵活的安全选项，以及三种行业标准封装选择。P30产品系列采用Intel 130 nm ETOX VIII工艺技术制造。P30产品系列也计划采用Intel 65nm工艺光刻技术。本数据手册中记录了65nm交流时序的变化，所有新设计都应考虑这些变化。