R3114Q261C-TR-FE
R3114Q261C-TR-FE
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- 品牌名称
- Nisshinbo
- 商品型号
- R3114Q261C-TR-FE
- 商品编号
- C7333982
- 商品封装
- SC-82AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 监控和复位芯片 | |
| 芯片类型 | 电压检测器 | |
| 输出类型 | 推挽 | |
| 复位有效电平 | 低电平有效 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压 | 2.6V | |
| 受监控电压数 | 1 | |
| 复位超时 | 40us | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
R3114x 系列是基于 CMOS 的电压检测器 IC,具有高检测阈值精度和超低电源电流,可在极低电压下工作,例如用于系统复位。 每个 IC 由电压基准单元、比较器、用于设置检测阈值的电阻、输出驱动器和迟滞电路组成。检测阈值在内部高精度固定,无需任何调整。 有两种输出类型可供选择:N 沟道开漏型和 CMOS 型。 R3114x 系列的工作电压比 R3111x 系列更低,可由单节电池驱动。 有三种封装类型可供选择:SOT - 23 - 5、SC - 82AB 和 DFN(PL)1010 - 4。
商品特性
- 电源电流……典型值 0.35μA(-VDET = 1.5V,VDD = -VDET + 1V)
- 工作电压范围……0.5V 至 6.0V(Top = 25℃)
- 检测阈值范围……0.7V 至 5.0V(以 0.1V 为步进)
- 检测阈值精度……±0.8%(-VDET ≥ 1.5V)
- 检测阈值的温度漂移系数……典型值 ±30ppm/℃
- 输出类型……N 沟道开漏“L”型和 CMOS 型
- 封装……DFN(PL)1010 - 4、SC - 82AB、SOT - 23 - 5
应用领域
- CPU 和逻辑电路复位
- 电池检测器
- 窗口比较器
- 波形整形电路
- 电池备份电路
- 电源故障检测器
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
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