STU65N3LLH5
1个N沟道 耐压:30V 电流:65A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STU65N3LLH5
- 商品编号
- C7325005
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.29nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
30V/150A RDS(ON) = 1.3mΩ（典型值）@VGS = 10V RDS(ON) = 2.0mΩ（典型值）@VGS = 4.5V 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 有无卤器件可供选择
商品特性
- 30V/150A
- RDS(ON) = 1.3mΩ（典型值）@VGS = 10V
- RDS(ON) = 2.0mΩ（典型值）@VGS = 4.5V
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 有无卤器件可供选择
应用领域
- 开关应用-DC/DC电源管理-电池保护
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