NTE175
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 300V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 40 | |
| 特征频率(fT) | 15MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 5mA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 750mV | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
NTE38（PNP）和 NTE175（NPN）是采用 TO66 封装的互补硅晶体管，专为高速开关和线性放大器应用而设计，适用于高压运算放大器、开关稳压器、转换器、逆变器、偏转级和高保真放大器。
商品特性
- TO66 封装
- 集电极 - 发射极维持电压：NTE38：VCEO(sus)=350V @ IC = 200mA；NTE175：VCEO(sus)=300V @ IC = 200mA
- 二次击穿集电极电流：NTE38 IS/b = 875mA @ VCE = 40V；NTE175 IS/b ~= 350mA @ ΔVCE ~= 100V
- 可用直流电流增益可达 2.0Adc