NP83P06PDG-E1-AY
1个P沟道 耐压:60V 电流:83A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP83P06PDG-E1-AY
- 商品编号
- C7321230
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 83A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@10V,41.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.8W；150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.1nF@10V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
本产品是一款P沟道MOS场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。
商品特性
- 超低导通电阻：漏源导通电阻（RDS(on)）最大为8.8 mΩ（栅源电压（VGS）=-10 V，漏极电流（ID）=-41.5 A）
- 漏源导通电阻（RDS(on)）最大为12 mΩ（栅源电压（VGS）=-4.5 V，漏极电流（ID）=-41.5 A）
- 低输入电容：输入电容（Ciss）典型值为10100 pF
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
- 无铅（本产品外部电极不含铅）
应用领域
-汽车领域