NP80N06MLG-S18-AY
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP80N06MLG-S18-AY
- 商品编号
- C7321221
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.8W；115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.6nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NP160N055TUJ是一款专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 低导通电阻
- 最大漏源导通电阻（RDS(on)） = 3.0 mΩ（栅源电压（VGS） = 10 V，漏极电流（ID） = 80 A）
- 低输入电容（Ciss）：典型输入电容（Ciss） = 6900 pF（漏源电压（VDS） = 25 V，栅源电压（VGS） = 0 V）
- 专为汽车应用设计，符合AEC - Q101标准
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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