NP160N055TUJ-E1-AY
1个N沟道 耐压:55V 电流:160A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP160N055TUJ-E1-AY
- 商品编号
- C7321208
- 商品封装
- TO-263-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.974克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.8W；250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.35nF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 最大漏源导通电阻(RDS(on)) = 3.0 mΩ(栅源电压(VGS) = 10 V,漏极电流(ID) = 80 A)
- 低输入电容(Ciss):典型输入电容(Ciss) = 6900 pF(漏源电压(VDS) = 25 V,栅源电压(VGS) = 0 V)
- 专为汽车应用设计,符合AEC - Q101标准
应用领域
- 高速开关应用
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