SMLJ100AE3/TR13
SMLJ100AE3/TR13
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- SMLJ100AE3/TR13
- 商品编号
- C7317784
- 商品封装
- SMLJ(DO-214AB)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.373克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 100V | |
| 钳位电压 | 162V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 18.6A@10/1000us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 3kW@10/1000us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 123V | |
| 反向电流(Ir) | 2uA | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS |
商品概述
MSMLG5.0A - MSMLG170CA和MSMLJ5.0A - MSMLJ170CA系列高可靠性瞬态电压抑制器(TVS)可保护电路免受高达3000 W(10/1000 μs模型脉冲)的电压尖峰影响。DO - 215AB封装的SMLG鸥翼式设计允许可见的焊接连接。DO - 214AB封装的SMLJ J形弯设计可实现更高的印刷电路板安装密度。产品包括单向和双向版本以及符合RoHS标准的版本。这些产品提供多种筛选选项以提高可靠性。它们可根据IEC61000 - 4 - 5标准防止闪电的二次效应,以及防止来自电感开关环境和射频辐射感应的电压脉冲。由于其响应时间几乎是瞬间的,因此也可根据IEC61000 - 4 - 2和IEC61000 - 4 - 4标准用于防止静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)。
商品特性
- 所有M前缀器件均为高可靠性器件,具备制造和组装批次可追溯性,所有器件均经过100%浪涌测试
- 对所有M前缀器件的待机电流(I_D)进行3σ批次规范筛选,提供单向和双向版本
- 所有M前缀器件的湿度分类为“1级”,根据IPC/JEDEC J - STD - 020B标准无需干燥包装
- 带有M前缀的器件可提供参考MIL - PRF - 19500的增强可靠性筛选选项,更多筛选选项详情请参考《高可靠性筛选塑料产品组合》(所有可用选项请参见部件命名法)
- 提供符合RoHS标准的版本
- 提供轴向引脚等效封装,用于通孔安装,型号为M5KP5.0A至M5KP110CA,额定功率为5000 W(其他表面贴装选项请联系美高森美)
应用领域
- 抑制高达3000W的瞬变(10/1000 μs测试脉冲)
- 防止开关瞬变和感应射频
- 防止ESD和EFT(根据IEC 61000 - 4 - 2和IEC 61000 - 4 - 4)
- 根据IEC 61000 - 4 - 5进行二次防雷保护(不同源阻抗和等级)
- SMLJ100CAE3/TR13
- SMLJ130CE3/TR13
- SMLJ150E3/TR13
- SMLJ15CAE3/TR13
- SMLJ18CAE3/TR13
- NEVO+600S-1810-DK000
- NEVO+600ML-0028-DK000
- SN74ALS645ANS
- NEVO+600S-1834-DK000
- NEVO+600S-1881-DK000
- NEVO+600S-2002-DK000
- SMLM12CBC7W1
- SN74AS86ANS
- SMLP36RGB2W3
- NEVO+600S-2020-DK000
- SMLZ14WBGBDW1
- SN74AUC2G00YZTR
- SMM-101-01-S-S
- SMM-102-02-S-D-01-K-TR
- NEVO+600S-2024-DK000
- SMM-102-02-S-S-LC-P-TR
