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EG3012

停产大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片

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描述: 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片，静态电流：4.5mA
品牌名称: EG(屹晶微)
商品型号: EG3012
商品编号: C81709
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.201克(g)

商品参数

商品概述

EG3012是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3012高端的工作电压可达100V，Vcc的电源电压范围宽11V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8封装。

商品特性

高端悬浮自举电源设计，耐压可达100V
内建死区控制电路
电源电压欠压关断输出自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
采用半桥达林顿管输出结构，具有大电流栅极驱动能力
专用于无刷电机N沟道MOS管、IGBT管栅极驱动
HIN输入通道高电平有效，控制高端HO输出
LIN输入通道高电平有效，控制低端LO输出
外围器件少
静态电流小：4.5mA
封装形式：SOP - 8

应用领域

电动摩托车控制器
电动自行车控制器
100V降压型开关电源
变频水泵控制器
无刷电机驱动器
高压Class - D类功放

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优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)

个

起订量：5 个3000个/圆盘

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	工作电压	11V~30V
	上升时间(tr)	400ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	200ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-45℃~+85℃
	输入低电平(VIL)	0V~1V
	静态电流(Iq)	4.5mA