温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2N7002A-TP
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 功率(Pd) | 300mW | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3Ω@10V,500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 用于低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计
- 电压控制小信号开关
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- moisture Sensitivity Level 1
- 无卤“绿色”器件
- 无铅涂层/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准）