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MCQ4407B-TP
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 功率(Pd) | 3.2W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9mΩ@10V,12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.8V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 29.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.05nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 301pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 高速开关
- 用于低RDS(on)的高密度单元设计
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿气敏感度等级1
- 可通过添加后缀“-HF”提供无卤产品
- 无铅镀层/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准。详见订购信息）