- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
S29WS512P0SBFW003
S29WS512P0SBFW003
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- 商品型号
- S29WS512P0SBFW003
- 商品编号
- C7309134
- 商品封装
- FBGA-84(8x11.6)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 20uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | - | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；软件写保护 |
商品概述
Spansion S29WS512/256/128P是采用90纳米工艺技术制造的Mirrorbit闪存产品。这些产品为突发模式。
商品特性
- 单1.8V读/编程/擦除（1.70 - 1.95V）
- 90纳米MirrorBit技术
- 零延迟的同时读写操作
- 8字随机页读取访问模式，页内访问时间为20纳秒
- 32字/64字节写缓冲区
- 分别为512P、256P、128P的16存储体架构，包含32M、16M、8M字
- 存储阵列顶部和底部各有四个16K字扇区
- 510/254/126个64K字扇区（WS512/256/128P）
- 可编程线性（8/16/32），有或无环绕和连续突发读取模式
- 安全硅扇区区域，工厂和客户各有128字
- 20年数据保留（典型值）
- 循环耐久性：每个扇区100,000次循环（典型值）
- 命令集与JEDEC（42.4）标准兼容
- 顶部和底部扇区的硬件（WP#）保护
- 双引导扇区配置（顶部和底部）
- 通过监控RDY进行握手
- WS512P/WS256P/WS128P：84球FBGA（11.6毫米×8毫米）
- 低VCC写禁止
- 高级扇区保护的持久和密码方法
- 写操作状态位指示编程和擦除操作完成
- 编程和擦除操作的暂停和恢复命令
- 解锁旁路编程命令以减少编程时间
- 同步或异步编程操作，独立于突发控制寄存器设置
- ACC输入引脚以减少工厂编程时间
- 支持通用闪存接口（CFI）