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2N7002K
耐压:60V 电流:0.2A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V 防静电 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
- 品牌名称
- SY(顺烨)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C7305294
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0316克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.35V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 60V/0.2A,VGS = 10V、Id = 0.5A时,RDS(ON) = 4Ω(最大值)
- VGS = 5V、Id = 0.05A时,RDS(ON) = 4Ω(最大值)
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 可靠耐用
- 采用SOT - 23表面贴装封装
- 静电放电(ESD)防护高达2 kV
应用领域
- 台式计算机电源管理或DC/DC转换器