IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR

IS61/64WV51216EEALL/BLL是高速、低功耗的8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造，并实现了ECC功能以提高可靠性。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术（包括ECC，即单错误纠正 - 双错误检测）相结合，产生了高性能和高度可靠的器件。当片选信号CS#为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时通过CMOS输入电平可降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入可轻松实现内存扩展。低电平有效的写使能信号WE#控制存储器的读写操作。数据字节允许进行高字节（UB#）和低字节（LB#）访问。这些器件采用JEDEC标准的44引脚TSOP（II型）、48引脚微型BGA（6mm×8mm）、48引脚TSOP（I型）和54引脚TSOP（II型）封装。

• 高速访问时间：8ns、10ns、20ns
• 单电源供电
• 1.65V - 2.2V VDD（IS61WV51216EEALL）
• 2.4V - 3.6V VDD（IS61/64WV51216EEBLL）
• 带可选ERR1/ERR2输出引脚的错误检测和纠正功能：
  • ERR1引脚指示1位错误检测和纠正
  • ERR2引脚指示2位错误检测
• 封装类型：
  • 44引脚TSOP（II型）
  • 48引脚TSOP（I型）
  • 48球微型BGA（6mm×8mm）
  • 54引脚TSOP（II型）
• 三态输出
• 支持工业和汽车温度范围
• 提供无铅版本