IPP65R115CFD7AAKSA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:21A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP65R115CFD7AAKSA1
- 商品编号
- C7289555
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V,9.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 114W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.95nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 741pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可散热高达2.0 W。
商品特性
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- P沟道
- 175°C工作温度
- 快速开关