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IMZA120R014M1HXKSA1
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- 描述
- 特性：VDSS = 1200 V，TVj = 25℃。 IDDC = 127 A，Tc = 25℃。 RDSS(on) = 14 mΩ，VGS = 18 V，TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 短路耐受时间3 μs。 基准栅极阈值电压，VGDD(th) = 4.2 V。应用：通用驱动器（GPD）。 电动汽车充电
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMZA120R014M1HXKSA1
- 商品编号
- C7288888
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 127A | |
| 耗散功率(Pd) | 455W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.58nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 211pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.4mΩ |
商品特性
- VDSS = 1200 V at TVj = 25℃
- IDDC = 127 A at Tc = 25℃
- RDSS(on) = 14 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25℃
- 非常低的开关损耗
- 短路耐受时间 3 μs
- 基准栅极阈值电压，VGDD(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加 0 V 关断栅极电压
- 用于硬换流的稳健体二极管
- .XT 互连技术，实现一流的热性能
应用领域
- 通用驱动器 (GPD)
- EV 充电
- 在线 UPS/工业 UPS
- 组串式逆变器
- 太阳能功率优化器
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
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