GCMX080B120S1-E1
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:30A
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- 品牌名称
- SemiQ
- 商品型号
- GCMX080B120S1-E1
- 商品编号
- C7281235
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@20V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 142W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.336nF@1000V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@1000V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 高速开关
- 能够提供4.5 V栅极驱动
- 低驱动电流
- 高密度安装
- 低导通电阻
- 导通电阻（RDS(on)）典型值为3.6 mΩ（栅源电压VGS = 10 V时）
- 无铅
- 无卤
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