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PXP8R3-20QXJ
1个P沟道 耐压:20V 电流:12.4A 电流:65.1A
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- 描述
- P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，封装为 MLPAK33 (SOT8002) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXP8R3-20QXJ
- 商品编号
- C7266541
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.4A；65.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@4.5V,12.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W；50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 91.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.2nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 780pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 840pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 栅源电压（VGSS）保证为±20 V
- 驱动电路可简化
- 易于并联使用
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用
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