CY7C1372D-167AXCKJ
CY7C1372D-167AXCKJ
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- 商品型号
- CY7C1372D-167AXCKJ
- 商品编号
- C7257736
- 商品封装
- TQFP-100(14x20)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 9.6605克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 18Mbit | |
| 工作电压 | 2.375V~2.625V | |
| 读写时间 | 3.4ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 275mA | |
| 待机电流 | 70mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
CY7C1370DV25和CY7C1372DV25分别是2.5V、512K x 36和1M x 18的同步流水线突发静态随机存取存储器(SRAM),具有无总线延迟(NoBL)逻辑。它们旨在支持无等待状态的无限真正背靠背读写操作。CY7C1370DV25和CY7C1372DV25配备了先进的(NoBL)逻辑,可在每个时钟周期传输数据的情况下实现连续的读写操作。此特性显著提高了需要频繁读写转换的系统中的数据吞吐量。CY7C1370DV25和CY7C1372DV25与ZBT设备引脚兼容且功能等效。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器,所有数据输出通过由时钟上升沿控制的输出寄存器。时钟输入由时钟使能(CEN)信号限定,当该信号无效时,操作暂停并延长前一个时钟周期。写操作由字节写选择(CY7C1370DV25的BW(上划线)a - BW(上划线)d和CY7C1372DV25的BW(上划线)a - BW(上划线)b)和写使能(WE)输入控制。所有写操作都通过片上同步自定时写电路进行。三个同步片选(CE1(上划线)、CE2、CE3(上划线))和一个异步输出使能(OE)便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线争用,输出驱动器在写序列的数据部分同步进入三态。
商品特性
- 管脚兼容且功能等效
- 支持250兆赫兹总线操作,零等待状态,提供250、200和167兆赫兹速度等级
- 内部自定时输出缓冲器控制,无需使用异步输出使能
- 全寄存器化(输入和输出)用于流水线操作
- 具备字节写入能力
- 单路2.5伏核心电源,2.5伏输入/输出电源
- 快速时钟到输出时间,对于250兆赫兹器件为2.6纳秒
- 时钟使能引脚用于暂停操作
- 同步自定时写入
- 提供符合JEDEC标准的无铅100引脚薄型四方扁平封装、无铅及有铅119球栅格阵列和165球细间距球栅格阵列封装
- 符合IEEE 1149.1标准的边界扫描
- 突发能力,支持线性或交错突发顺序
- 提供“ZZ”睡眠模式选项和停止时钟选项
应用领域
- 通信系统
- 网络设备
- 测试与测量设备
- 工业控制
- 数据处理系统
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