CY15V102QN-50SXI
CY15V102QN-50SXI
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- CY15V102QN-50SXI
- 商品编号
- C7257705
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.197克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 工作状态指示 |
商品概述
CY15X102QN是一款低功耗、2兆比特非易失性存储器,采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器是非易失性的,其读写操作类似于随机存取存储器。它在提供151年可靠数据保留的同时,消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,该器件以总线速度执行写操作,没有写入延迟。数据在成功传输到器件后立即写入存储器阵列。下一个总线周期可以立即开始,无需数据轮询。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品具有极高的写入耐久性,能够支持10^15次读写周期。这些特性使其成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。
商品特性
- 2兆比特铁电随机存取存储器,逻辑组织为256K × 8
- 近乎无限的耐久性,达1000万亿次读写周期
- 151年数据保留
- 无延迟写入
- 先进的高可靠性铁电工艺
- 高速串行外设接口,频率最高达50兆赫兹,支持模式0和模式3
- 复杂的写保护方案:支持硬件写保护引脚和软件写禁用指令
- 软件块保护功能,可保护四分之一、二分之一或整个阵列
- 包含制造商ID和产品ID的设备ID
- ID
- 序列号
- 专用的256字节特殊扇区,其存储内容可承受最多三次标准回流焊接循环
- 低功耗:40兆赫兹下典型工作电流为2.4毫安,待机电流典型值为2.3微安,深度掉电模式电流典型值为0.70微安
- 低电压工作:CY15V102QN工作电压为1.71伏至1.89伏,CY15B102QN工作电压为1.8伏至3.6伏
- 工业级工作温度范围:-40摄氏度至+85摄氏度
- 封装:8引脚小外形集成电路封装、8引脚薄型双扁平无引线封装、8引脚塑料双列直插式封装
- 符合有害物质限制规定
应用领域
- 数据记录
- 工业控制
- 需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用
- CY15V104QN-20LPXIT
- CY15V108QI-20LPXCT
- CXA1507-0000-000N00G250H
- CXA1507-0000-000N00G430H
- CXA1507-0000-000N00G440F
- CXA1507-0000-000N00H457F
- CY2308ZXC-1HKA
- CXA1507-0000-000N0HE450H
- CY27410LTXI-007T
- CXA1507-0000-000N0HE457F
- CXA1507-0000-000N0HF450H
- CXA1507-0000-000N0HF457F
- CY62177GE30-55ZXI
- CXA1507-0000-000N0UD430F
- CXA1507-0000-000N0UE230G
- CXA1507-0000-000N0UF20E3
- CXA1507-0000-000N0YE40E7
- CY7C026AV-20AXCKJ
- CXA1510-0000-000F00H427G
- CXA1510-0000-000F00J20E1
- CXA1510-0000-000F00J230H

