CXDM3069N TR PBFREE
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.9A
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- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- CXDM3069N TR PBFREE
- 商品编号
- C7257501
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
一种 高电流 N 沟道增强型硅 MOSFET，专为 高速脉冲放大器和驱动器应用设计。
商品特性
- 低导通电阻（RDS(ON)）：最大 50 mΩ（VGS = 2.5 V 时）
- 高电流能力（ID = 6.9 A）
- 逻辑电平兼容（Logic Level Compatible）
应用领域
- 负载/电源开关
- 电源转换电路
- 电池供电便携设备
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