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NXV100XPR
1个P沟道 耐压:30V 电流:1.5A
- 描述
- P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- NXV100XPR
- 商品编号
- C7250511
- 商品封装
- TO-236AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 340mW；2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 354pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低阈值电压
- 极快的开关速度
- 沟槽MOSFET技术
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路
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