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NXV100XPR
1个P沟道 耐压:30V 电流:1.5A
- 描述
- P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- NXV100XPR
- 商品编号
- C7250511
- 商品封装
- TO-236AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 340mW；2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 354pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 碳化硅（SiC）功率MOSFET
- 低导通电阻RDS(on)
- 高温性能良好
- 碳化硅肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性不受温度影响
- 正向电压VF具有正温度系数
- 杂散电感极低
- 内置用于温度监测的热敏电阻
- 集成度高
- 采用氮化铝（AlN）基板，热性能更佳
- 高频工作时性能卓越
- 可直接安装到散热器上（隔离封装）
- 结到外壳的热阻低
- 电源和信号引脚均可焊接，便于PCB安装
- 外形低矮
- 符合RoHS标准
应用领域
- 焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制
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