商品参数
| 属性 | 参数值 | |
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| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
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| 功能特性 | - |
商品概述
MWS5114是一款1024字×4位的静态随机存取存储器,采用离子注入硅栅互补MOS(CMOS)技术。它设计用于需要低功耗和使用简便的存储系统。该型号具有公共数据输入和数据输出,并采用4.5V至6.5V的单电源供电。MWS5114有18引脚密封双列直插侧焊陶瓷封装(D后缀)和18引脚双列直插塑料封装(E后缀)。
商品特性
- 全静态操作
- 行业标准1024×4引脚排列(与6514、2114、9114和4045类型的引脚排列相同),公共数据输入和输出
- 备用电池电压低至2V时仍可保持内存
- 所有输入和输出直接与TTL兼容
- 三态输出
- 低待机和工作功耗
- MTSW-148-08-T-S-203
- MWSA0604S-3R3MT
- MTSW-148-09-S-D-465-LL
- MTSW-148-11-T-S-530-RA
- MWSA1206S-120MT
- MTSW-148-24-G-D-230
- MWSA1265S-220MT
- MWSA1265S-330MT
- MTSW-150-06-T-S-100
- MWSA1707S-8R2MT
- MWSD1005C0N8DT
- MTSW-150-07-F-S-225
- MWSD1005C10NJTM81
- MWSD1005C10NKTM81
- MWSD1005C11NJT
- MWSD1005C11NKTM81
- MTSW-150-07-S-D-115-RA
- MWSD1005C12NHTM81
- MTSW-150-07-S-S-100-RA
- MWSD1005C12NKT
- MTSW-150-07-S-S-165
