商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 48pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 保证28 V、150 MHz性能
- 小信号和大信号特性
- 在所有相位角下以30:1的电压驻波比(VSWR)对负载失配进行100%测试
- 低噪声系数 — 在1.0 A、150 MHz条件下为1.5 dB(典型值)
- 出色的热稳定性,非常适合A类工作
- 便于手动增益控制、自动电平控制(ALC)和调制技术
应用领域
- 汽车和工业市场：螺线管驱动器、灯具驱动器、小型电机驱动器