M7A3P1000-FG144I
M7A3P1000-FG144I
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- M7A3P1000-FG144I
- 商品编号
- C7221859
- 商品封装
- FPBGA-144(13x13)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 可编程逻辑器件(CPLD/FPGA) | |
| 内嵌式块RAM(eRAM) | 147456bit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+100℃ |
商品概述
ProASIC3是Actel第三代闪存FPGA系列,其性能、密度和特性均超越ProASICPLUS系列。非易失性闪存技术赋予ProASIC3器件安全、低功耗、单芯片和上电即用的优势。该器件可重复编程,并具有达到ASIC级别单位成本的上市时间优势。这些特性使设计人员能够利用现有的ASIC或FPGA设计流程和工具创建高密度系统。ProASIC3器件提供1 kbit的片上可重复编程非易失性FlashROM存储器,以及基于集成锁相环的时钟调理电路。A3P015和A3P030器件不支持PLL或RAM。ProASIC3器件提供高达1 M的系统门。
商品特性
- 系统门容量从15 k到1 M
- 高达144 kbit的真实双端口SRAM
- 高达300个用户I/O
- 采用130纳米、7层金属(6层铜)、基于闪存的CMOS工艺
- 支持上电即用等级0
- 单芯片解决方案
- 断电时保留已编程设计
- 350 MHz系统性能
- 支持3.3 V, 66 MHz 64位PCI
- 通过JTAG进行安全在系统编程(使用片上128位高级加密标准解密,支持IEEE 1532标准)
- 通过FlashLock保护FPGA内容安全
- 低功耗核心电压
- 支持仅需1.5 V电压的系统
- 低阻抗闪存开关
- 分段式、层次化的布线和时钟结构
- 支持700 Mbps DDR、具备LVDS能力的I/O
- 支持1.5 V、1.8 V、2.5 V和3.3 V混合电压操作
- 支持符合JESD8-B标准的宽范围电源电压,允许I/O在2.7 V至3.6 V下工作
- 可选择的I/O组电压——每芯片最多4个组
- 支持单端I/O标准:LVTTL, LVCMOS 3.3 V / 2.5 V / 1.8 V / 1.5 V, 3.3 V PCI / 3.3 V PCI-X,以及LVCMOS 2.5 V / 5.0 V输入
- 支持差分I/O标准:LVPECL, LVDS, B-LVDS和M-LVDS
- 在输入、输出和使能路径上均配有I/O寄存器
- 支持热插拔和冷备用I/O
- 可编程输出压摆率和驱动强度
- 弱上拉/下拉
- IEEE 1149.1边界扫描测试
- ProASIC3系列内引脚兼容的封装
- 六个时钟调理电路块,其中一个集成PLL
- 可配置相移、倍频/分频、延时能力和外部反馈
- 宽输入频率范围
- 1 kbit FlashROM用户非易失性存储器
- 具有可变纵横比4,608位RAM块的SRAM和FIFO
- 真实双端口SRAM
- M1和M7 ProASIC3器件支持Cortex-M1和CoreMP7软处理器,可选带或不带调试功能
- M7A3P1000-FGG484
- M7A3P1000-PQG208I
- M7AFS600-1FGG484I
- M7AFS600-FGG484
- M22S-T30SB10-E30-R
- M22S-T30SB11-W
- M22S-T30SB20-E30-G
- M22S-T30SF10-E230-BL
- M22S-T30SF11-R
- M22S-T30SF20-E230-Y
- M7E-PICO
- M22S-T32SB01-E230-G
- M22S-T32SB01-E30-R
- M80-4000605
- M22S-T32SB10-R
- M22S-T32SB20-BL
- M80-4001205
- M22S-T32SF01-E230-G
- M22S-T32SF02-E230-BL
- M80-4050405
- M22S-T32SF10-R

