商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700W |
商品概述
Power MOS 8TM是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。专有的平面条纹设计使其具有出色的可靠性和可制造性。通过低输入电容和超低Crss “米勒” 电容实现了低开关损耗。多晶硅栅极结构固有的栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制转换速率，从而实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。高雪崩能量能力提高了反激、升压、正激和其他电路的可靠性。
商品特性
- 易于功率控制
- 集成ESD保护
- 出色的耐用性
- 高效率
- 优异的热稳定性
- 专为宽带操作设计(HF至600 MHz)
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用