温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A；50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.187nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 高阻断电压
- 高压封装
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 高压电源
- 电容放电应用
- 脉冲电路
- 激光和X射线发生系统