IS25LP512MG-RMLI

品牌名称: ISSI(北京矽成)
商品型号: IS25LP512MG-RMLI
商品编号: C7211279
商品封装: SOIC-16-300mil
包装方式: 管装
商品毛重: 0.833克(g)

商品参数

	属性	参数值
	页写入时间(Tpp)	2ms
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

商品概述

IS25LP512MG 和 IS25WP512MG 串行闪存提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中实现了高灵活性和高性能。该器件通过一个由串行数据输入、串行数据输出、串行时钟和片选引脚组成的4线SPI接口进行访问，该接口也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI。该系列闪存增加了对DTR命令的支持，可在时钟的上升沿和下降沿传输地址和读取数据。这些传输速率可以超越16位并行闪存，从而支持高效的存储器访问以实现XIP操作。存储器阵列在出厂时为已擦除状态。QPI支持2周期指令，进一步减少了指令时间。页面可以按4KB扇区、32KB块、64KB/256KB块和/或整个芯片进行擦除。统一的扇区和块架构提供了高度的灵活性，使得该器件可广泛应用于需要高数据保留能力的应用场景。

商品特性

行业标准串行接口
支持标准SPI、快速、双路、双路I/O、四路、四路I/O、SPI DTR、双路I/O DTR、四路I/O DTR 和 QPI
软件和硬件复位
支持串行闪存可发现参数
高性能串行闪存：66MHz 标准读取，高达166MHz快速读取，高达133MHz快速读取，高达80MHz DTR
可配置驱动强度
支持SPI模式0和3
超过100,000次擦除/编程周期
超过20年的数据保持时间
灵活高效的存储器架构：支持芯片擦除及统一扇区/块擦除，每页编程1至256或512字节
编程/擦除挂起与恢复
高效的读取和编程模式：低指令开销操作，连续读取8/16/32/64字节突发换行，可选的突发长度，用于DTR操作训练的数据学习模式
低功耗与宽温度范围：单电源电压供电，12 mA 活动读取电流，30 μA 待机电流，1 μA 深度掉电电流，工作温度范围 -40°C ~ +105°C
高级安全保护：软件和硬件写保护，高级扇区/块保护，顶部/底部块保护，4x512字节专用安全区域，128位器件ID
行业标准引脚排列和封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	512Mbit
	工作电压	2.3V~3.6V